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- 回答日時:
参考URLのページに、Lateral epitaxial overgrowth (LEO) という、GaNの半導体の結晶格子欠陥の少ない成長の技法が説明されています。
ここの説明で、wing region が出てきますが、もしこれが、尋ねておられる wing region なら、これは、空隙や格子欠陥の少ないない半導体結晶を成長させるため、GaNの上に、SiO2のストライプを蒸着させ、これに続けて、GaNのデポジションを継続すると、結晶成長が、ストライプのあいだの「窓」または「シード」領域で起こり、その場合、縦方向の成長だけでなく、横方向の成長が起こるので、ストライプの端から、「シード」の上に、GaN結晶が成長し、最終的に、シードの真中あたりで、suture(縫合線)領域を形成して、シード領域を埋めます。
この時、シード領域は、真中に suture が入り、suture 部分は、空隙や格子不整合が多いものの、suture の左右の領域は、wing region と呼ばれて、非常に良質な結晶領域ができるので、レーザー・ダイオードの作用領域 active region は、この wing region の上に置かれると説明されています。
Google で、「wing region laser」で検索すると、1万9千件ほどヒットしますが、これにLEOを加えて、「wing region laser LEO」で絞っても、1200件ほどが残りますから、wing region とは、この意味である可能性が高いです。
>Physics Today October 2000
>http://www.aip.org/pt/vol-53/iss-10/captions/p31 …
参考URL:http://www.aip.org/pt/vol-53/iss-10/captions/p31 …
この回答へのお礼
お礼日時:2002/08/05 20:36
回答ありがとうございます。まさにそのLEO技術で使われている用語です(笑。参考URLに飛んでみましたが図入りで凄くわかりやすかったです。
おかげで内容のほうを理解することができました。
本当にありがとうございました。
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