No.1ベストアンサー
- 回答日時:
p形半導体では通常、(アクセプタ濃度N_D)≫(真性半導体の電子濃度n_i)となるので、近似的にp形の熱平衡状態での正孔濃度p_p0=N_Dと考えてよい。
そして、Siの室温における高純度の結晶の正孔移動度μ_h=500cm^2/V・s及びqp_p0μ_h=1/ρ
の関係からρ=5.0Ω・cmを代入して
N_D=p_p0=1/(ρqμ_h)=1/{5.0×1.6×10^(-19)×500}
=2.5×10^15 cm^(-3)
この回答への補足
大変ありがとうございました。
ところで
2.5×10^15 [cm^(-3)]と2.5×10^9 [m^(-3)]
は、同じあたいですか?
大変初歩的なものですが お返事待ってます
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