フェルミディラック分布関数の問題が解けません

シリコン真正半導体結晶の禁制帯幅Eg[wV]が温度T[K]の関数として、
Eg=1.21-4.1*10~-4Tと表わされるとします。
この結晶で、フェルミエネルギーより0.05eVだけ下位にあるエネルギー準位が温度T=300Kで電子に占有される確率を計算できません。
どなたか教えてください。

さらにこの結晶で、伝道帯の底に位置するエネルギー準位が温度T=３００Kで電子に占有される確率を計算できません。
真正半導体のフェルミエネルギーレベルがどこにあるか考えればいいと思うのですが・・・

No.1 回答者： imoriimori 回答日時： 2008/11/02 23:05

「真正（真性）半導体のフェルミエネルギーレベルがどこにあるか考えればいいと思うのですが・・・」についてのみ。

伝導帯の電子の数と価電子帯の正孔の数とが同じという条件により、フェルミディラック分布の（反）対称的な形から、フェルミレベルは禁制帯のほぼど真ん中に来ると結論できます。
フェルミレベルさえ決まればあとはＯＫですよね。

この回答へのお礼

ありがとうございました

お礼日時：2008/11/07 14:23