ヘテロ接合

格子定数などの、原子配列の整合性を考えて２種類の半導体を接合したものをヘテロ接合と呼ぶと習いましたが、どのような工程を経ればそのような接合が可能なのでしょうか。ただ単に、溶かして、くっつけて、冷やして固めるではとてもできないような気がするのです。
また、原子配列の整合性を考慮するならばあまりに原子構造が異なるとヘテロ接合は不可能になるのでしょうか。

No.2 ベストアンサー 回答者： semikuma 回答日時： 2009/09/29 18:01

No.1もちょっと惜しい。

ヘテロ接合を作るために格子定数などをきちんと合わせて結晶を成長させることをエピタキシャル成長といいます。
基本的には茹でた塩水を冷まして塩の結晶を析出させるのと同じで、種となる半導体結晶に原料を接触させて、温度を下げて結晶成長します。

古くから使われている手法はLPE(liquid Phase Epitaxy:液相成長)で、融けた原料を基板に接触させ、ゆっくり温度を下げていきます。

ほかに気相成長法(VPE:Vaper Phase Epitaxy)といって、基板に原料ガスを吹き付ける方法、その一種で原料として有機金属ガスを使うMOCVD(Metal Orgsnic Chemical Vaper Epitaxy)、真空中で蒸発させた原料原子を吹き付ける方法(MBE:Molecular Beam Epitaxy)などがあります。

この回答へのお礼

塩水からの塩の析出と半導体作製の手順に共通点があったとは少し感動です。
ガス噴きつけも青色ダイオードなどの本で読んだことがあったかもしれません。
どうもありがとうございました。

お礼日時：2009/09/30 13:34

No.1 回答者： shintaro-2 回答日時： 2009/09/29 17:05

>格子定数などの、原子配列の整合性を考えて２種類の半導体を接合したものをヘテロ接合と呼ぶと習いましたが、

違います。
それはエピタキシャルです。


ヘテロ接合は、単に異なるものを接合するということです。
エピの場合は、結晶性を維持するための格子定数が重要になりますので、
当然、物質や結晶面などの組み合わせが限定されます。
CVD成長が一般的かと思います。

この回答へのお礼

もう一度参考書などで定義を再確認してみようと思います
どうもありがとうございました。

お礼日時：2009/09/30 13:32