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ダイオードは温度が高くなると、順方向電圧Vdが小さくなる特性を持ち、その傾きは-2mV/℃といわれています。

トランジスタ設計の本や関連HPを見るとダイオードの特性は下記の式になっていますが、
下記の値を入れて計算すると絶対温度Tが上昇するとVdも上昇する式になってしまいます。
どうしてでしょうか?

Vd = ((K*T)/q)*ln(Id/Is)
  = 1.785e-3*T

K:ボルツマン定数=1.38e-23[J/K]
q:電子の電荷:=1.602e-19[c]
Id:順方向電流=1e-3[A]
Is:飽和電流=1e-14[A]
T:絶対温度

A 回答 (3件)

 


 
 以下、Vd,Id の d は省略します、 (q*V/(k*T)) などは (qV/kT) と略記します、 温度Tは300Kとします。


>> トランジスタ設計の本や関連HPを見るとダイオードの特性は下記の式になっていますが、
Vd = ((K*T)/q)*ln(Id/Is)
<<


 ここはぜひ、その式の元の形である
  I = Is・exp(qV/kT) …(1)
の式で覚えてください。半導体の理論は根底が exp(エネルギ/熱エネルギ) という関数から出発してるので、この形で慣れておけば 将来ともお得です。
 で、
Is 自体も exp(-Eg/kT) 的な電流です。 Egはシリコンのバンドギャップエネルギ、kTは温度Tの熱エネルギです。 Is の成分の詳細説明は専門書にゆずるとして、大局的には
  Is = A・exp(-Eg/kT) …(2)
と書けます。
係数 A は今は定数とします。(2)を(1)に入れると、
  I = A・exp(-Eg/kT)・exp(qV/kT) …(3)
両辺をAで割って 両辺を対数取って V=の形にすると、
  V = (1/q){ kT・ln(I/A)+Eg } …(4)
あなたが載せたVdの式より 少し詳しく求まりました。


 さて、
温度係数の定義は 『Tだけが変化する』 です。そのとき I は(何らかの手段で)一定に保たれてるとします。すると(4)式はT以外すべて定数となるので単純に微分できて、
  ∂V/∂T = (1/q)k・ln(I/A) …(5)
これが疑問への答です。これに(3)式を入れると、
  ∂V/∂T = (1/T){ V-Eg/q } …(6)
温度とバンドギャップと電子電荷だけの式になりました。Eg/q は次元が電圧で、バンドギャップ電圧と呼ばれたりします、その値はシリコンで約 1.11[V] です、この機会に暗記しましょう。(6)式を言葉で書くと

  温度係数=(順電圧-1.11 )÷温度 …(7)
  温度300k,順電圧 0.65V のとき、-1.5 mV/K ほど。
  温度300k,順電圧 0.51V のとき、-2 mV/K ほど。

変動は、電流が小さいほど(=順電圧が小さいほど)□□く、高温ほど□□いんですね。このように 使用温度、使用電流、品種、製造ロットによって変わるものなのだ、と覚えてください。



 余談;
詳しく言えば切りがないのですが、 Egそのものも温度Tの関数です。係数Aは回路シミュレータでは温度の3乗がよく使われます。SI単位系に慣れましょう。
それから、他人が書いた式を眺めてるだけでは自分の力が付きません、ぜひ式変形を自分の手で最後までやってみましょう。
 
 
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この回答へのお礼

分かりやすい説明ありがとうございました。
Isが温度に依存してることは気がつきませんでした。
自分で式を計算してみます

お礼日時:2005/02/17 23:36

私も首を傾げたことがあります。


無意識のうちに飽和電流を定数として扱ってしまいますが、温度で大きく変わります。
順方向電圧の温度依存性は飽和電流の温度依存性のほうがより支配的です。
高温では飽和電流大なので、同じ順方向電流なら順方向電圧小ということになります。
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この回答へのお礼

アドバイスありがとうございました。

お礼日時:2005/02/17 23:44

時間がなくて、いい加減な説明になってしまいますが、



Vd = ((K*T)/q)*ln(Id/Is)

この式は、ある温度における電流と電圧の関係を表したものです。つまり、温度Tの関数ではありません。温度Tも定数として考えています。順方向電流Idを1e-3[A]と定数にしていますが、通常VdとIdの関数です。

温度依存性を示す式があると思いますので、調べてみてください。
図だけならここのURLにありました。

参考URL:http://www.cqpub.co.jp/toragi/TRBN/trsample/2003 …
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Q金属、半導体の抵抗の温度変化について

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金属については、温度が上がると粒子が熱振動し自由電子が流れにくくなるというようなことを聞いたことがありますがあっていますか?
半導体についてはまったく理由がわからないので詳しく教えて頂くとありがたいです。
あと自分で調べていたところ「バンド理論」というのを目にしました。
関係があるようでしたらこれも教えて頂くとありがたいです。

Aベストアンサー

こんにちは。

>>>金属については、温度が上がると粒子が熱振動し自由電子が流れにくくなるというようなことを聞いたことがありますがあっていますか?

だいたい合っています。
金属については、温度が上がると正イオン(自由電子が引っこ抜かれた残りの原子)の振動が激しくなるので、自由電子が正イオンに散乱されます(進路を乱されます)。
それをマクロで見たとき、電気抵抗の上昇という形で現れます。

>>>半導体についてはまったく理由がわからないので詳しく教えて頂くとありがたいです。

半導体の中において金属の自由電子に相当するものは、電子とホールです。この2つは電流を担う粒子ですので、「キャリア」(運ぶ人)と言います。
ホールは、半導体物理学においてプラスの電子のように扱われますが、その実体は、電子が欠けた場所のことを表す「穴」のことであって、おとぎ話の登場人物です。
電子の濃度とホールの濃度に違いがあったとしても、一定の温度においては、両者の濃度の積は一定です。
これは、水溶液において、H+ と OH- の濃度の積が一定(10^(-14)mol^2/L^2)であるのと実は同じことなのです。

中性の水溶液の温度が高くなると、H2O が H+ と OH- とに解離しやすくなり、H2O に戻る反応が劣勢になります。
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Qトランジスタ 温度特性

トランジスタは何故温度が上昇したら電流が流れやすくなるのですか?
詳しくお願いします。

Aベストアンサー

簡単に説明すると、電子の活動が温度上昇に伴って活発になるからです。
下記のサイトの「動作の原理」の説明で電子が移動する速度が上昇し、キャリアとして電流が流れるのが多くなるからです。

トランジスタ
http://ja.wikipedia.org/wiki/%E3%83%88%E3%83%A9%E3%83%B3%E3%82%B8%E3%82%B9%E3%82%BF

Q逆方向飽和電流の求め方に関する質問です。

物理実験でどうしてもわからないことがあるので質問させていただきます。

半導体ダイオードの特性を測定する実験なのですが、その課題の部分で逆方向飽和電流をグラフ化して求めるというものがありました。その求め方で順方向特性で求める方法と逆方向特性で求める方法、さらにV=0のときの抵抗値から求める方法があったのですが、求めた逆方向飽和電流がそれぞれ違う値となるのです。その結果は順方向特性が5.75(mA),逆方向特性が1.31(μA),V=0のときの抵抗値から求めたものが1.62(μA)となりました。後の2つは求め方の性質上の誤差で済ませられる範囲だとは思うのですが、順方向特性と後の2つとは誤差と言えないほどかけはなれています。これはどういうことなのでしょうか?

求め方
順方向特性
logI=logIo+qV/2.3kT
Io:逆方向飽和電流,q:電子の電荷,k:ボルツマン定数,T:絶対温度
x軸に電圧Vをとり、y軸に電流の常用対数logIをとったグラフを作り、直線部分を延長してそのY切片がIoである。

逆方向特性
逆方向の-1VまでのV-I特性をグラフ化して、直線部分を伸ばしてY軸(電流軸)との交点がIoである。

V=0のときの抵抗値から
x軸に電圧Vをとり、y軸に抵抗の常用対数logRをとったグラフを-0.5Vから0.5Vまで作り、真ん中を内挿してV=0のときのRをもとめ、Io=kT/qR(V=0)に代入して求める。

ということらしいのです。直線部分を伸ばしたり、真ん中の部分を勝手に想像して埋めたりなど結構あいまいな求め方なので少しくらいのずれならわかるのですが、1000倍もずれるとなると無視できないので質問しました。実験方法自体のミスの可能性もあるので、もしこんなことは起こらないのならそれを指摘してくださってもうれしいです。

よろしくお願いします。

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Aベストアンサー

実際の測定結果を見ないと何とも言えませんが、
・測定結果
・log(I)=log(5.75)+qV/2.3kT
・log(I)=log(5.75(exp(qV/2.3kT)-1))
等を(片対数)グラフに重ね描きして考えてみてはいかがでしょうか?
(エクセル等が使えればすぐ描けますよね。)
更に、log(1.5e-3) あたりをY切片として、測定結果の曲線に向けて接線を描いてみたりすると他に直線的な部分が見えてきませんでしょうか?
抵抗分が効いている部分からloを求めていると、loをオーバーエスティメイトしがちです。

Qダイオードの特性式、順方向降下電圧について

 LEDの特性について理解を深めようとしている者です。
ダイオードの特性式と順方向降下電圧について質問させてください。

 ダイオードの順方向降下電圧はダイオードの種類によって様々で、
シリコンダイオードなら0.6Vから0.7V,LEDになると2.0Vから3.5V程度になる、ということを学びました。
また、ダイオードの電流-電圧特性は
I=I0{exp(qV/nkT)-1}
で与えられる、とさまざまなところで見たのですが、
この式でq,kはそれぞれ電気素量、ボルツマン定数で一定、
nは1から2までの値を取る、
Tは絶対温度、およそ300K、となるので、
結局大きく変わる変数としては逆方向飽和電流I0のみとなると思うのですが、
この式で、例えば順方向降下電圧3.5Vのダイオードの電流-電圧特性のグラフにフィッティングさせようとすると、
I0がとんでもなく小さな値(1.0×10^(-40)A程)になり、いくら逆方向に電流を流さないとはいっても違和感を覚えてしまいます。
pn接合部の抵抗を考え、
V'=V+RI
(V'はダイオードと抵抗にかかる電圧の合計、Rは抵抗)
の式を先ほどのダイオード特性式に当てはめ、
I=I0{exp(q(V'-RI)/nkT)-1}
という式に変形させフィッティングしてみても、順方向降下電圧にはほぼ影響がなく、やはりI0が低い値になってしまいました。
LEDにおいて、順方向降下電圧が上がってしまうのはやはりI0が極端に低いからなのでしょうか、
それとも他に要因があるのでしょうか?
LEDだけでなく、順方向降下電圧に同一温度下でも幅が出るのは、すべてI0によるものなのでしょうか?
物性面で違いが出るのはもちろんわかるのですが、それが特性式のどこに関わってくるのかが理解できていません…。

 他に要因があるのでしたら、ダイオードの特性式に絡めて説明していただけると非常に助かります。
よろしくお願いします。

 LEDの特性について理解を深めようとしている者です。
ダイオードの特性式と順方向降下電圧について質問させてください。

 ダイオードの順方向降下電圧はダイオードの種類によって様々で、
シリコンダイオードなら0.6Vから0.7V,LEDになると2.0Vから3.5V程度になる、ということを学びました。
また、ダイオードの電流-電圧特性は
I=I0{exp(qV/nkT)-1}
で与えられる、とさまざまなところで見たのですが、
この式でq,kはそれぞれ電気素量、ボルツマン定数で一定、
nは1から2までの値を取る、
Tは絶対温度、およそ3...続きを読む

Aベストアンサー

えーと、勉強したのが結構昔なので所々ちょっと自信ないですが


順方向降下電圧は、ダイオードで通常使用する電流(数十mAオーダー位から?)において
ダイオードにかかる電圧のことで、その電流の範囲では
I=I0{exp(qV/nkT)-1}
の指数関数の傾きが非常に大きくなっており、
使用範囲内の電流変化では、それに対応する電圧がほとんど変わりません。
例えばシリコンダイオードの場合、数十mAから数百mA位に変化させても
電圧降下はほぼ0.6V一定と扱って良いことになるわけです。
これが順方向降下電圧です。
つまり、順方向降下電圧は作動させたい電流の範囲次第で変わってきます。
そしてもちろんI0,nなど電流-電圧の関係にかかわるパラメータはすべて効いてきます。

シリコンダイオードとLEDの順方向降下電圧の差は
材料の違いと(これでI0が変わってきます)
LEDは電子と正孔を再結合させて発光させていること(これでnが変わってきます)
によって生じます。


ということでよろしいでしょうか。

<このVFが出現するようにダイオード特性式のパラメータを決定しようとすると、

これは「ダイオードはVFを超えると電流が流れ始める」と説明されることがあるために
勘違いされていると思います。
正しくは「VF以下のダイオード電流は、使用している電流範囲より十分小さくなるので無視できる」
の意です。



それから以下の方法でフィッティングさせて見てください
(かなり面倒くさいと思いますが)

電流の式を変形します。
Vがある程度大きければ-1を無視できて
I=I0{exp(qV/nkT)-1}≒I0exp(qV/nkT)
両辺のlogをとると
logI=qV/nkT+logIo

つまりlogIのVに対するグラフは、
傾きq/nkT、切片logIo
なる直線になるはずです。

測定データの傾きと切片を実際に図ってn,Ioを求めてみてください
ただし、t=0近辺では無視した-1のせいでグラフが曲がっているので無視してください。

また、内部抵抗の影響で大きなVではグラフが曲がってくると思います。
内部抵抗を考慮した
I=I0{exp(q(V'-RI)/nkT)-1}
の式で同様に対数グラフを作成します。直線になるよう、うまくRを調整してください。

えーと、勉強したのが結構昔なので所々ちょっと自信ないですが


順方向降下電圧は、ダイオードで通常使用する電流(数十mAオーダー位から?)において
ダイオードにかかる電圧のことで、その電流の範囲では
I=I0{exp(qV/nkT)-1}
の指数関数の傾きが非常に大きくなっており、
使用範囲内の電流変化では、それに対応する電圧がほとんど変わりません。
例えばシリコンダイオードの場合、数十mAから数百mA位に変化させても
電圧降下はほぼ0.6V一定と扱って良いことになるわけです。
これが順方向降下電圧です。
つま...続きを読む

Qエクセル STDEVとSTDEVPの違い

エクセルの統計関数で標準偏差を求める時、STDEVとSTDEVPがあります。両者の違いが良くわかりません。
宜しかったら、恐縮ですが、以下の具体例で、『噛み砕いて』教えて下さい。
(例)
セルA1~A13に1~13の数字を入力、平均値=7、STDEVでは3.89444、STDEVPでは3.741657となります。
また、平均値7と各数字の差を取り、それを2乗し、総和を取る(182)、これをデータの個数13で割る(14)、この平方根を取ると3.741657となります。
では、STDEVとSTDEVPの違いは何なのでしょうか?統計のことは疎く、お手数ですが、サルにもわかるようご教授頂きたく、お願い致します。

Aベストアンサー

データが母集団そのものからとったか、標本データかで違います。また母集団そのものだったとしても(例えばクラス全員というような)、その背景にさらならる母集団(例えば学年全体)を想定して比較するような時もありますので、その場合は標本となります。
で標本データの時はSTDEVを使って、母集団の時はSTDEVPをつかうことになります。
公式の違いは分母がn-1(STDEV)かn(STDEVP)かの違いしかありません。まぁ感覚的に理解するなら、分母がn-1になるということはそれだけ結果が大きくなるわけで、つまりそれだけのりしろを多くもって推測に当たるというようなことになります。
AとBの違いがあるかないかという推測をする時、通常は標本同士の検証になるわけですので、偏差を余裕をもってわざとちょっと大きめに見るということで、それだけ確証の度合いを上げるというわけです。

Qダイオードの逆バイアスのときの電流について

ダイオードの逆バイアスのときの電流は、少数キャリアによる拡散電流、
によるものでしょうか、それともドリフト電流によるものでしょうか?

それと、その時の電流が逆方向飽和電流と考えていいのでしょうか?? 

いろいろネットで調べていますが、
説明の方法がたくさんあって、混乱している状態です。


よろしくおねがいします。

Aベストアンサー

>ダイオードの逆バイアスのときの電流は、少数キャリアによる拡散電流、
>によるものでしょうか、それともドリフト電流によるものでしょうか?
条件を限定するとその通り

>それと、その時の電流が逆方向飽和電流と考えていいのでしょうか?? 
条件を限定するとその通り


手元に資料ありませんので、以下記憶です。

低注入水準で逆バイアスのダイオードの電流は拡散電流と発生再結合電流の2つがあります。

今問題にしているのは
 Io(exp[qVa/kT]-1)
のようなので、これは拡散電流です。

近似では、p型で空乏層から十分離れた熱平衡の領域でのキャリア密度npo、空乏層端のキャリア密度npo・exp[qVa/kT]を境界条件として解くのだったと思います。

逆バイアスVaが十分大きく、exp[qVa/kT] << 1 の状態で流れる電流が逆方向飽和電流です(空乏層端のキャリア密度が0に近似できる状態)。

空乏層外のドリフト電流を無視できる理由は、少数キャリアに対し無視できないほどに電界があると、多数キャリアによるドリフト電流がとんでもないほど流れてしまうからだったような。

>ダイオードの逆バイアスのときの電流は、少数キャリアによる拡散電流、
>によるものでしょうか、それともドリフト電流によるものでしょうか?
条件を限定するとその通り

>それと、その時の電流が逆方向飽和電流と考えていいのでしょうか?? 
条件を限定するとその通り


手元に資料ありませんので、以下記憶です。

低注入水準で逆バイアスのダイオードの電流は拡散電流と発生再結合電流の2つがあります。

今問題にしているのは
 Io(exp[qVa/kT]-1)
のようなので、これは拡散電流です。

近...続きを読む

Q波長(nm)をエネルギー(ev)に変換する式は?

波長(nm)をエネルギー(ev)に変換する式を知っていたら是非とも教えて欲しいのですが。
どうぞよろしくお願いいたします。

Aベストアンサー

No1 の回答の式より
 E = hc/λ[J]
   = hc/eλ[eV]
となります。
波長が nm 単位なら E = hc×10^9/eλ です。
あとは、
 h = 6.626*10^-34[J・s]
 e = 1.602*10^-19[C]
 c = 2.998*10^8[m/s]
などの値より、
 E≒1240/λ[eV]
となります。

>例えば540nmでは2.33eVになると論文には書いてあるのですが
>合っているのでしょうか?
λに 540[nm] を代入すると
 E = 1240/540 = 2.30[eV]
でちょっとずれてます。
式はあっているはずです。

Qエクセルで計算すると2.43E-19などと表示される。Eとは何ですか?

よろしくお願いします。
エクセルの回帰分析をすると有意水準で2.43E-19などと表示されますが
Eとは何でしょうか?

また、回帰分析の数字の意味が良く分からないのですが、
皆さんは独学されましたか?それとも講座などをうけたのでしょうか?

回帰分析でR2(決定係数)しかみていないのですが
どうすれば回帰分析が分かるようになるのでしょうか?
本を読んだのですがいまいち難しくて分かりません。
教えてください。
よろしくお願いします。

Aベストアンサー

★回答
・最初に『回帰分析』をここで説明するのは少し大変なので『E』のみ説明します。
・回答者 No.1 ~ No.3 さんと同じく『指数表記』の『Exponent』ですよ。
・『指数』って分かりますか?
・10→1.0E+1(1.0×10の1乗)→×10倍
・100→1.0E+2(1.0×10の2乗)→×100倍
・1000→1.0E+3(1.0×10の3乗)→×1000倍
・0.1→1.0E-1(1.0×1/10の1乗)→×1/10倍→÷10
・0.01→1.0E-2(1.0×1/10の2乗)→×1/100倍→÷100
・0.001→1.0E-3(1.0×1/10の3乗)→×1/1000倍→÷1000
・になります。ようするに 10 を n 乗すると元の数字になるための指数表記のことですよ。
・よって、『2.43E-19』とは?
 2.43×1/(10の19乗)で、
 2.43×1/10000000000000000000となり、
 2.43×0.0000000000000000001だから、
 0.000000000000000000243という数値を意味します。

補足:
・E+数値は 10、100、1000 という大きい数を表します。
・E-数値は 0.1、0.01、0.001 という小さい数を表します。
・数学では『2.43×10』の次に、小さい数字で上に『19』と表示します。→http://ja.wikipedia.org/wiki/%E6%8C%87%E6%95%B0%E8%A1%A8%E8%A8%98
・最後に『回帰分析』とは何?下の『参考URL』をどうぞ。→『数学』カテゴリで質問してみては?

参考URL:http://ja.wikipedia.org/wiki/%E5%9B%9E%E5%B8%B0%E5%88%86%E6%9E%90

★回答
・最初に『回帰分析』をここで説明するのは少し大変なので『E』のみ説明します。
・回答者 No.1 ~ No.3 さんと同じく『指数表記』の『Exponent』ですよ。
・『指数』って分かりますか?
・10→1.0E+1(1.0×10の1乗)→×10倍
・100→1.0E+2(1.0×10の2乗)→×100倍
・1000→1.0E+3(1.0×10の3乗)→×1000倍
・0.1→1.0E-1(1.0×1/10の1乗)→×1/10倍→÷10
・0.01→1.0E-2(1.0×1/10の2乗)→×1/100倍→÷100
・0.001→1.0E-3(1.0×1/10の3乗)→×1/1000倍→÷1000
・になります。ようするに 10 を n 乗すると元の数字になるた...続きを読む

Qツェナーダイオードの逆電流とは?

ツェナーダイオードの逆電流とは?
ツェナーダイオードと特性に逆電流というのがあります。
たとえば、下記のカタログですが、
http://documentation.renesas.com/jpn/products/diode/rjj03g0568_hz.pdf
ルネサスのHZ20-2というものですと、6ページに逆電圧が15Vのとき逆電流が1uAとかかれていますが、7ページのHZ20-2のグラフを見ると1uAのところでだいたい19Vと読み取れます。
話が合わないように見えるのですが、逆電流とはどう考えればいいもなのか教えていただけないでしょうか。

Aベストアンサー

ANo.3 です。
誤解を招かないように、追加補足説明させていただきます。
カタログの『電気的特性』は、HZ20-2のメーカの保障される動作条件を規定しています。
よって、HZ20-2のツェナー電圧は
1.Vz;19.5V(MIN)、20.4V(MAX)で測定条件:Iz;2mAとなり、決してIz;0.5uAに電流を減らしたら保障されません。
2.逆電流のところにはIr ;1uA(MAX)で測定条件:Vr;15Vと規定してあるのは、15Vを加えたときに最大でも1uAしか流れないという事です。
#2さんの回答が正しく明確です。

>7ページのHZ20-2のグラフを見ると1uAのところでだいたい19Vと読み取れます。
7ページのHZ20-2のグラフは、『主特性』で設計者に各ツェナーDiの特性の傾向を示しているのであって、保障値ではありません。
ツェナー電流Izに10^-8(A)から特性が記載されていますが、グラフで電流1uAの19Vのツェナー電圧が読み取れ、Iz;1uA~10倍のIz;10uAで設計したら正常なツェナー電圧なりませんので、過渡的な電圧条件の時の参考の傾向値として考えてください。

HZ20-2のツェナー電圧は、測定条件:Iz;2mAでの動作条件で使えば19.5V(MIN)、20.4V(MAX)ですよというのが『電気的特性』の保障値となります。

過渡的な『逆電流』に関しては先の私の回答を参照ください。

ANo.3 です。
誤解を招かないように、追加補足説明させていただきます。
カタログの『電気的特性』は、HZ20-2のメーカの保障される動作条件を規定しています。
よって、HZ20-2のツェナー電圧は
1.Vz;19.5V(MIN)、20.4V(MAX)で測定条件:Iz;2mAとなり、決してIz;0.5uAに電流を減らしたら保障されません。
2.逆電流のところにはIr ;1uA(MAX)で測定条件:Vr;15Vと規定してあるのは、15Vを加えたときに最大でも1uAしか流れないという事です。
#2さんの回答が正しく明確です。

>7ページのHZ20-2のグ...続きを読む

Q閉ループゲイン 開ループゲイン

オペアンプの閉ループゲイン、開ループゲインとはそもそも何なのでしょうか?
根本的なとこがわかりません。
どなたかよろしくお願いします。

Aベストアンサー

[図6.1-41]を見てください。
これが開(オープン)ループゲインです。(青色)
(フィードバックをかけていないときの利得ー周波数特性)
http://my1.interlink.or.jp/~md0858/series4/densi0613.html

70Hzくらいまでは100dBの利得がありますが、より高い周波数では-6dB/oct(=-20dB/decade)でどんどん下がっていき、7MHzくらいで0dBとなります。
(最大利得と周波数特性はオペアンプの種類によって異なるが、この”傾向”はすべてのオペアンプについて言える)

[図6.1-43]を見てください。
例えば80dB(60dB)のフィドバックをかけたとすると、利得は20dB(40dB)になりますが、利得一定の周波数幅がうんと広くなることにお気づきでしょうか?
これが閉ループゲインです。

一般に、オペアンプの開ループゲインは100dB以上ありますが、これを開ループで使うことは滅多にありません。
周波数特性が問題にならないコンパレータのときくらいのものです。

参考URL:http://my1.interlink.or.jp/~md0858/series4/densi0613.html

[図6.1-41]を見てください。
これが開(オープン)ループゲインです。(青色)
(フィードバックをかけていないときの利得ー周波数特性)
http://my1.interlink.or.jp/~md0858/series4/densi0613.html

70Hzくらいまでは100dBの利得がありますが、より高い周波数では-6dB/oct(=-20dB/decade)でどんどん下がっていき、7MHzくらいで0dBとなります。
(最大利得と周波数特性はオペアンプの種類によって異なるが、この”傾向”はすべてのオペアンプについて言える)

[図6.1-43]を見てください。
例えば80dB(60...続きを読む


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