
No.5
- 回答日時:
無視されたのか理解できないのかわかりませんが、画像はルネサスのパワーMOSFET HAT2160HのSPICEによるシミュレーションです。
Vdsは10 Vから60 Vまで変化させています。Idsを対数にすることでVth0は約1.0 Vとわかります。これが理論式とあってるかどうかはデータがないのでわかりません。Vgs(off)は10 V/1 mAの条件で約1.8 Vです。データシート上では0.8 V(min), 2.3 V(max)となっています。で、指数で変化するものを線形のグラフで傾きをとったらずれて当たり前。

回答及びシミュレーションまでしていただきありがとうございます。ID-VG特性から接線を引く際は縦軸には対数表示は用いませんでした。
しきい値電圧は本来ゲート電圧によって左右されるものと考えてよろしいでしょうか
No.4
- 回答日時:
>ID-VG特性から求めたところ
この特性から、Vfbほかのパラメーターの値をどうやって求めたのですか?
求めていない(求められない)のに、何故理論式と異なると思うのでしょうか?
私は、「これで求められた閾値電圧はVdsの関数なので」と言いました。
しきい値電圧を求める式に関するパラメータは資料に記載しておりましたのでそれを使って算出しました。
つまり、本来、しきい値はゲート電圧に依存する物なのにも関わらず下記の式はそれを考慮していない簡易的な式だから誤差が生まれたということでしょうか
No.2
- 回答日時:
例えば、
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/semicondu …
カタログにはVds、Idsがある条件の時の閾値が記載されています。
ですが、スレ主さんは、Vdsを変化させています。
これで求められた閾値電圧はVdsの関数なので、変化して当たり前。
だから、条件でVdswo明記している。理論式通りです。
でも、スレ主さんは、「ドレイン電圧で左右されないはず」と言われています。
どんな式ですか?
想像するに、Vdsに依存しない簡易的な式かと。
しきい値電圧がVdsの関数であることは存じませんでした。もしよろしければその式、またはそれについて書かれたサイト等を紹介してはいただけないでしょうか。
私が使ったのは
Vfb+2φB+√(4e κs ε0 NA φB)/Cox
です
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