MOSFETの静特性

MOSFETの静特性で、Id=A{(Vg-Vt)Vd-Vd^2/2}の式が線形領域では２次関数で変化しているのに、飽和領域において、式が成立しなくなる理由をすみませんが教えてください。

No.1 回答者： may-may-jp 回答日時： 2005/05/01 20:57

数学的にアプローチするのだと思います。

要は、式を変形して、何らかの範囲を示すような条件式を導くということですが。過去の質問も検索してみてはいかがでしょう。

物理学的に仕組みとしてどういうことか知りたいということであれば、
●「図解雑学　半導体」（ナツメ社、燦ミアキ・大河啓著）
などが参考になると思います。

参考URL：http://oshiete1.goo.ne.jp/kotaeru.php3?q=386830

この回答へのお礼

回答ありがとうございます。　とりあえず式を平方完成してId=-A/2[｛Vd-(Vg-Vt)｝^2-(Vg-Vt)^2]となったので、そこからこのIdの式を図にすると、Vd=Vg-Vtの値までは、静特性の性質を表していて、それ以降は、静特性のように一定値で飽和せずに、二次関数的に値が減っていくような関数になっているのはわかったのですが、そのように飽和せずに減少していく要因となるものが何なのかいまいちわかりません。要するに、ドレイン電圧が高くなるとIdの式が成り立たなくなる理由がわかりません。
飽和領域（Vd>VG-Vt）に入ったらこの式だけではあらわせないのですか？

お礼日時：2005/05/02 00:47