水素結合、配位結合

水素結合
電気陰性度の大きな原子（Ｆ，Ｏ，Ｎ）と結合した
正電荷を帯びた水素原子が、近くの電気陰性度の大きい原子の
非共有電子対の方向へ近づき、静電気に基づく弱い結合が
形成されること。
５点満点中４点でした。

配位結合
一方の原子から非共有電子対が、他方の原子からはそれを受け入れる
空軌道が提供されて出来る共有結合。
５点満点中３点でした。

教科書で調べても、これ以上詳しく書かれていませんでした。
足りない点を教えてほしいです。
よろしくお願いします。

No.3 回答者： Tacosan 回答日時： 2007/09/17 02:22

特に記述がおかしいわけじゃないので, 何かが足りなかったんでしょうかねぇ.

配位結合に関していえば, 理屈では「非共有電子対」とは限らないし, 電子対を出す/受けるのも原子とは限らないんだけど....

No.2 回答者： 101325 回答日時： 2007/09/16 15:06

私は、質問者さまの解答で良いと思うのですけど。

ちょっと辛い採点ですね。

水素結合については、ANo.1の方の回答にあるように、ただ「弱い」と答えるのではなく、「化学結合よりは弱くファンデルワールス力よりは強い」と答えなければならなかったのでしょうね。

配位結合については、自信がないのですけど、「電子供与体・電子受容体」とか「ルイス酸・ルイス塩基」などの術語を解答に入れる必要があったか、アンモニウムイオンなどの例示が必要だったか、だと思います。

いずれにしても、出題した先生に正解を確認されることをお勧めします。

No.1 回答者： kasakata 回答日時： 2007/09/14 20:37

おそらく以下の点で減点されたのではないでしょうか？

>水素結合
"静電気に基づく弱い結合"で正しいが、同じ小さな力である分子間力(ファンデルワールス力)よりは大きいこと

>配位結合
結合が形成され、できた電子軌道が閉殻構造となることが書かれていない
＊(うる覚え)遷移金属の場合はe_g,t_2g軌道の分裂の度合いにより決まります。