トランジスタのVBEとVBE(sat）について

トランジスタの特性で、ベース・エミッタ電圧VBEとベース・エミッタ飽和電圧VBE(sat）がありますが、この違いは何でしょうか？
ご存知の方、お教え下さい。

No.2 回答者： phototrek 回答日時： 2008/09/06 22:47

トランジスタとは少し違いますが、ＩＧＢＴでの内容から回答します。

Vbe:ゲートオフの状態での素子破壊耐圧
Vbe(sat):ゲート変化状態での飽和電圧
　　　　　（オン状態での損失評価の代用）

http://phototrekzero.in/ytk/php/pwebboard/images …
(現在、学習中の資料とのことですが比較的まとまっています。
参考までに載せておきます。
ＩＧＢＴなのでベースをコレクタと読み替えてください）
　　　　

No.1 回答者： fusem23 回答日時： 2008/09/03 10:55

一般人ですので、あくまでも想像です。

飽和電圧VBE(sat)は、飽和状態にあるときのベース・エミッタ電圧ではないでしょうか。

参考URL：http://www.necel.com/ja/faq/f_tr.html