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No.1
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PLを測定することでバンドギャップエネルギーが分かります。
あとはそのバンドギャップから組成を算出するだけです。
バルク半導体であることが前提ですが。
一般的な半導体材料の物性定数については、下記にまとめられています。
InGaAsの組成とバンドギャップを与える式も出ています。
http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/
(全ての物性定数が正しいことを保障するものではありません。
例えば、InNのバンドギャップは古いデータのままで、
現在一般に受け入れられている値ではありません)
参考URL:http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/
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