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フォトルミネッセンスでInGaAsのIn組成が決定できると聞きましたが、
どのように決定するか、参考になる文献があれば教えてください。

A 回答 (1件)

PLを測定することでバンドギャップエネルギーが分かります。


あとはそのバンドギャップから組成を算出するだけです。
バルク半導体であることが前提ですが。

一般的な半導体材料の物性定数については、下記にまとめられています。
InGaAsの組成とバンドギャップを与える式も出ています。
http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/
(全ての物性定数が正しいことを保障するものではありません。
例えば、InNのバンドギャップは古いデータのままで、
現在一般に受け入れられている値ではありません)

参考URL:http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/
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