電子回路の問題を解いていたのですが、考えてもわかりませんでした。問題は 「図のソース接地回路に関して

電子回路の問題を解いていたのですが、考えてもわかりませんでした。問題は
「図のソース接地回路に関してR1=600kΩ,R2=400kΩ,RL=2kΩ,VDD=5V,そしてMOSトランジスタの特性を示す。R1,R2で生成されるバイアス電圧V(GSQ)はどのような式で表され、いくらになるか。

あと、MOSトランジスタのドレーン端子のDCバイアス電圧V(DSQ)はどのような式で与えられ、いくらになるか」
なのですが、どのように解いたらいいのでしょうか・・
考えてもさっぱりだったので解説お願いします。

No.3 ベストアンサー 回答者： isoworld 回答日時： 2016/12/16 10:14

回答Ｎｏ．１と訂正された回答Ｎｏ．２にもあるように、MOSトランジスタのゲートには電流はほとんど流れませんから、ゲートには単にＲ1とＲ2で抵抗分圧した電圧がかかります。

Ｒ1＋R2は１MΩですから、ＶDD（＋５Ｖ）の４割である＋２VがVGSQになります。

このとき、ドレーン端子電圧ＶDSQは、ＶDDからＲLにかかる電圧を差し引いたものになります。つまり回答Ｎｏ．１のとおり、VDSQ ＝ VDD － RL × IDQ　です。ＩDQはドレーン電流です。このドレーン電流が幾らになるかは、このMOSトランジスタの特性によります。もしVGSQが＋２VのときにＩDQが１．２５mAになるのであれば、VDSQ＝＋５Ｖ－２ｋΩ×１．２５mA＝＋２．５Vですね。

No.2 回答者： m-jiro 回答日時： 2016/12/16 00:30

#1です。

訂正です。

VGSQの式で、R1はR2の間違い。
つまり　VGSQ ＝ VDD × R2 ÷ ( R1 ＋ R2 )　　が正しい。

No.1 回答者： m-jiro 回答日時： 2016/12/15 21:57

MOSトランジスタのゲートには電流は流れないので、VGSQはVDDをR1、R2で単純に分圧した値になります。

すなわち、　VGSQ ＝ VDD × R1 ÷ ( R1 ＋ R2 )

VDSQは電源電圧からRLでの電圧降下を減算した値です。
すなわち、　VDSQ ＝ VDD － RL × ID

計算は自分でやってください。