
No.2ベストアンサー
- 回答日時:
図がないとわかりにくいので説明対応できるか不明ですが。
円筒の長さLの部分を考えます。
∫EdS=Q/ε から円筒の長さ方向には対称ですから
dS=Lds, Q=Lq。 dsは円筒の周長に沿う微少長さで、qは単位長あたりの電荷密度(C/m)になります。
すると、円周方向の対称性からEは円筒面上の何処でも一定ですから2πrE=q/ε.
内径をr1、外径をr2としてEを半径方向に積分すれば電位差Vが求まります。
V=∫(r1~r2)(Edr) これからVはr1,r2,q,εからなる式になります。
そうすれば、未知数はqだけなので求まります。
導体表面の電荷密度σは
σ=q/(2πr)[C/m2]
となります。すなわち内径と外径では電荷密度は異なります。
なお、特に指示がなければεは真空中の誘電率でよいはずです。
この回答への補足
ありがとうございます。
内径の電荷密度を計算してみると
V=q/(2πε)log(r2/r1)
q=1.847×10^-8
σ=5.88×10^-8
となったのですが、答えは2.55×10^-8と書いてありました。
どこが間違っているのでしょうか?
No.3
- 回答日時:
私の計算によるとσ=2.55×10^-8[C/m2]となりました。
内径の半径0.05mの表面のようです。
V=q/(2πε)log(r2/r1) はあっています。もう一度、検討して下さい。
なおε=8.854×10^-12[A^2・s^2/N・m^2]で計算しました。
関数電卓で「log2」と打って計算していたのですが、底が10になっていたようです。
底をeにして計算したら解くことが出来ました。
詳しく説明していただきありがとうございました。
No.1
- 回答日時:
比較的簡単な問題なので電磁気学の教科書に載っていると思います。
ただし、静電容量の問題となっていれば、Q=CVで求まります。
それでなくともガウスの定理から∫Eds=q/ε となり、積分は単位長あたりの円周上の積分で、q は単位長あたりの電荷です。
円周上(半径をrとすれば)で対称性からEは一定となり積分の外に出せ、∫dsは2πrとなります。
するとEが求まり、Eを内径から外径まで積分すれば電圧になります。
この回答への補足
いまいちよくわからないのですが、その考え方からどうやって単位面積あたりの電荷を求めればいいのでしょうか。
それと、この問題でわかっていることは質問のところに書いたことだけです。
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