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実験の授業での課題(光エレクトロニクス)なのですが、
左から、LDとLEDの光源ブロック、コネクタアダプタ、光ファイバ(グレーデットインデックス(GI)とステップインデックス(SI)、ファイバ保持ブロック、10cmくらいの空間、センサブロック(このセンサはファイバ保持ブロックに対してθ方向に動かせます) のように実験装置を置き、センサブロックの受光面をピンホールキャップというものをつけるのとつけないので、2種類の受光面(1mm×1mmと直径1mm)で実験をしました。
実験の目的はグレーデットインデックスファイバとステップインデックスファイバのNA特性を学ぶ というもので、センサブロックの受光面がそれぞれ(i)直接(10mm×10mm)、(ii)ピンホールキャップ(直径1mm)の場合に、センサブロック回転角θに対する受光電力Wを求め、グラフに示す。そしてNA(光ファイバの開口数)を求め、受光面の大小(10mm×10mm,直径1mm)でNAが変わるのはなぜか。これらのNAは何によって決定されているかを考察せよ。とあって、光ファイバに関する本などを読んでみたのですが、NAの求め方からわかりません(グラフからでるのでしょうか・・)。考察に関してもさっぱりわかりません。どなたかおしえてください。

A 回答 (1件)

下記URLを見れば、自ずと解るのではないですか?


http://www.olympus.co.jp/jp/insg/ind-micro/terms …
# これはレンズの説明ですが、レンズは無視し、「物体面」をファイバに置き換えます。

※「考察」は自分で考えるもの。
レポートは試験と違って正解を追うものではなく、実験や観察をした結果に、「考察」を加えるもの。
多分大学に入ったばかりと思いますが、大学は高校までとは違います。
先生から言われることを憶えるばかりでなく、自分の頭で考える習慣をつけましょう。
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この回答へのお礼

回答ありがとうございます。おかげさまでわかりました。以後は自分で考るようにし頑張っていきたいと思います。

お礼日時:2010/05/23 04:17

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