No.1ベストアンサー
- 回答日時:
結晶成長の分野で、単結晶の育成に一般的に使われる方法です。
ヒータ
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種結晶 融解帯 供給原料
供給原料は多結晶でも単結晶でも構いません。種結晶は通常は単結晶を用います。
供給原料の一部をヒータなどで融解させ、種結晶と接触させます。
この後はヒータを移動させてもいいですし、原料アンプルを移動させてもよいのですが、いずれにしても融解帯を図の左から右へと通過させます。すると最終的に、種結晶から成長した大きな単結晶が得られます。
副次的な効果として、原料中の不純物が最終的に得られる結晶の片側に掃き集められて結晶の純度が上がります。そのため、原料の高純度化のみを目的とする場合にも使われます。
一部のゾーンだけ融解させますので、「ゾーンメルト」あるいは「帯溶融法」と呼ばれます。
No.2
- 回答日時:
直接的な回答ではありませんが、以下の参考URLサイトは参考になりますでしょうか?
「高周波溶解炉」
さらに
◎http://www2.jsforum.or.jp/kenkyu/h11seika/bisho/ …
(微少重力下における高品質大型高温超伝導体単結晶の成長研究)
◎http://www.jsap.or.jp/ap/1964/ob3307/cont3307.html
(帯溶融によるGe真空蒸着膜の結晶化)
ご参考まで。
参考URL:http://www.jaist.ac.jp/ms/labs/kyokugen/kurisu.l …
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