FETのON抵抗は通常、Vgsが大きければ、小さくなりますよね。
データシートでも4Vと10Vでは10Vの方が小さくなっています。
後は、Idの電流が多いほど、抵抗値は上がります。
加えて、温度Tcが高いほど抵抗値が上がっているのもデータシートで確認しました。
そこまではいいのですが、知人にゲートドライブ電流が多いほどON抵抗が下がると聞きました。
だから、Vgsが5Vとかの時にはON抵抗を小さくするためにドライブ電流を多くした方がいいとか。
ドライブ電流を多くすると、FETのスイッチング速度が上がりますが、ON抵抗も減るのでしょうか?
データシートを見た限りではどこにも情報がないので質問させていただきました。
No.2ベストアンサー
- 回答日時:
1.あなたと友人がどんな使い方をしているのかわからないのですが、
JFETやゲートに保護素子の入ったFETでは、リーク電流がMOSFETに比べて多いので、
ゲートを5Vに2MΩでつなぐより、1MΩでつなぐ方がON抵抗がへるかもしれません。
でも、そんな使い方してるんですか?
5Ωとか10Ωでは差なんか見えません。
2.FETのスイッチング速度が上がりますから、その間の時間、つまり5V未満の時間は
抵抗が大きいわけで、あなたの友人はそのことを言っているのかも知れません。
スイッチング周波数を高くしていくと、この時間はだんだん無視できなくなってきます。
実際のDC/DCコンバータなどでもこうした事は設計者は考慮します。
なるほど、確かに。その時間の間はON抵抗が高いですね!そういうことを言いたかったのかもしれません。
あと、すみません、MOSFETの話でした。書き忘れていて申し訳ないです。
No.4
- 回答日時:
ゲートには電流を流すという考えよりもゲート電圧を早く立ち上げるという意味ではないでしょうか?
MOSFETのゲート容量は大きく1000PFというのは普通にあります。
このゲート充電電流を出し入れするのにすごく時間がかかります。
動作周波数が高いと完全にONしない領域になる事もあります。
ですから、ゲートに直列に抵抗を入れると特性が変わります。
一般にFETは電圧で電流を制御すると言っているならゲート抵抗は何でもいいはずですがMOSFETはそうではないです。
ゲートに入れる抵抗を下げれば電流は多く流れチャージ時間も短くなります。その意味ではないでしょうか?
No.1
- 回答日時:
FETとトランジスタの特性を混同していませんか
トランジスタならゲート電流を増やせばコレクタ電流は増えます(ベース電流でコレクタ電流を制御、on抵抗が下がったとも言えない訳ではありません)
FETはゲート電流は流さないのが基本動作です(ゲート電圧でドレイン電流を制御)
アナログ回路を理解していない者の勘違いの可能性が高いです
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