No.1
- 回答日時:
無理でしょう。
そもそもフラッシュの昇圧トランスの1次側は約250Vです、250Vにチャージしたものをサイリスたでワンパルスの高圧電圧をキセノン菅に印加する事で点灯させてます、連続となると、トランスから全部作らないと無理です(10Khzで動作できるような設計がされたトランスではありません)それにトランスをドライブするのですからそれなりのドライブ回路を付けないと発信しないのは当然です。
それにフライバックトランスを使ったフライバック回路を、スイッチングレギュレター用のICで周波数を10KHzでドライブ回路を使いパワートランジスターをク度するのでないと難しいでしょう、トランスはブラウン管TV用電源120Vで2万Vとすれば、24Vで4KVという事理屈になるので24から30Vで5KVは出せるでしょう。
ただし10KHzは可聴帯域なので、使える所はかなり限定されます、通常SRは25KHz~200KHzの可聴帯域以上を使います。
No.2
- 回答日時:
今晩は。
>カメラのフラッシュ回路のトランスの一次側につなぎ、2次側から出力を取り出そう
>13khzなのですが、10khz以上を保ったまま5kv程まで昇圧させたいです。
>できればトランス系がいいです。
まず、カメラのフラッシュ回路(使い捨てカメラの場合)はトランスの一次側の電圧が1.5Vで二次側が400V程度に昇圧されます。このトランスを流用して二次側を5000Vにするにはかなりムリがあります。二次側の電圧を5000Vにするには一次側に必要な電圧Vpは
Vp=5000V×1.5V/400V=18.5V
にもなります。これを実現するには回路の電源に最低18.5V必要になります。また二次側の電圧が400Vから5000Vに上がるので放電の危険性が高まります。トランス内部で放電してしまう危険も考えられます。したがってトランスを流用するのはかなりなリスクがあります。
安全を考えれば高電圧の対応設計が十分配慮されているTV用のフライバックトランスを流用するのが賢明かと思います。
回路としては添付のような回路で実現できると思います。トランス一次側のドライブはパワーMOSFETを使用します。また、MOSFETのドレインと電源間にはダイオードとツェナーダイオードが必要です。ツェナーダイオードは電圧振幅を稼ぐために必須です。pnpトランジスタQ5と抵抗R7は流れる電流が大きいので電力損失が大きくなる(1wattクラス)ための対策回路になります。したがってQ5は十分な放熱が必要になります。
またパワーMOSFET(M1)も1W程度の発熱は避けられませんのでやはりM1も十分な放熱対策が必要になります。
それから、非常に高い電圧を扱いますので非常に危険です。十分すぎるほどの注意をして作業してください。
No.3ベストアンサー
- 回答日時:
回答NO.2です。
回路図の訂正と補足です。
まず、マルチバイブレータの出力の立ち上がりスピードの改善。
1) 修正した回路図を添付しましたが、回路図のようにNPNトランジスタQ6とショットキーバリアダイオードD2を追加します。これにより、Q2のコレクタの立ち上がりが大幅に高速化されます。高速化の狙いはスイッチング用のMOSFETのスイッチングロスの低減です。
2)マルチバイブレータのduty比をアンバランスにする。
C1を0.033uFにしてQ2のON時間をOFF時間より短くします。これは昇圧コイルの1次側のL1のドライブ電流の増加を抑えるために必要です。C1の値は0.022uFでもOKです。
補足:添付回路では出力(L2の出力)はプラスマイナスに振れる交流になってますが、DC電圧にしたい場合はシリーズに高耐圧ダイオードを接続し、そのカソード側を出力にすればOKです。
それから、同じような質問を新しく http://oshiete.goo.ne.jp/qa/8168102.html に載せられてますが、ちょっとまずいんじゃないですか?こちらで補足の欄に新たな疑問点や関連質問をか書かれたほうがよろしいかと思います。
この回答へのお礼
お礼日時:2013/08/08 22:51
ご丁寧に回答して下さったのに御礼遅れました。
申し訳ないです。
ありがとうございます!
これで回路を組んでみます!!
それと、似たような質問を出してしまい、すみません-_-
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