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- 回答日時:
まずは、全体にどのように電荷が分布するかをきちんと「想像」することが大事です。
導体「円環」とは「球」ですかね? 「円筒」ではないですよね?
中空の導体球殻内の中空中心部に電荷 -Q (Q>0)を置けば、導体球殻の中の自由電子(負電荷)は「斥力」によって球殻の外側表面に追いやられ、電子のいなくなった「正孔」は球殻の内面表面に集まります。導体球殻内に電場があればそれによって電荷が移動しますので「導体内には電場がない」状態になります。
(中心部に置いた電荷 -Q と、導体球殻の内表面、外表面に分布した電荷の作る合成電場は、導体球殻内部ではゼロになるということです)
ということで、導体球殻の内表面には +Q の電荷が、導体球殻の外表面には -Q の電荷が分布するようになるというところまで想像できましたか?
あとは、この問題の場合には明らかに「球対称」なので、中心からの半径 r の球表面を「ガウス面」にしてガウスの法則を適用していけばよいのです。
そうすれば、空間の誘電率を ε として(もし真空中なら ε0)次のような手順でやればよいです。
(a) r<a のとき、ガウスの法則より
∫EdS = -Q/ε
→ 4パイr^2 ・E = -Q/ε
→ E1 = -Q/(4パイεr^2)
(b) a≦r<b のとき、ガウスの法則より
∫EdS = (-Q + Q)/ε = 0
→ E2 = 0
(c) b≦r のとき、ガウスの法則より
∫EdS = (-Q + Q - Q)/ε = -Q/ε
→ 4パイr^2 ・E = -Q/ε
→ E3 = -Q/(4パイεr^2)
電位は、通常「無限遠を基準(電位ゼロ)」にしますので、そこから「単位電荷 +1 C」の電荷を移動してくる「仕事」がその場の電位となります。
これは、上の順番と逆に「中心から遠い方」から計算していきます。
(c) b≦r のとき
電場が
E3 = -Q/(4パイεr^2)
なので、r=R にある単位電荷 q=+1 [C] に働く力は
F3= qE3 = -Q/(4パイεR^2) [N]
よって、半径 r における電位は、この力でR:∞→r に移動してくる仕事なので
V3 = ∫[∞→r](F)dR = ∫[∞→r]{-Q/(4パイεR^2)}dR
= [Q/(4パイεR)][∞→r]
= -Q/(4パイεr)
(b) a≦r<b のとき
電場が
E2 = 0
なのでr=R にある単位電荷 q=+1 [C] に働く力は
F2 = qE2 = 0 [N]
よって、半径 r における電位は、上記 F3 も含めた力でR:∞→r に移動してくる仕事なので
V2 = ∫[∞→r](F)dR = ∫[∞→b]F3dR + ∫[b→r]F2dR
= ∫[∞→b]{-Q/(4パイεR^2)}dR + ∫[b→r]0dR
= [Q/(4パイεR)][∞→b]
= -Q/(4パイεb)
(a) r<a のとき
電場が
E1 = -Q/(4パイεr^2)
なので、r=R にある単位電荷 q=+1 [C] に働く力は
F1= qE1 = -Q/(4パイεR^2) [N]
よって、半径 r における電位は、上記 F3、F2 も含めた力でR:∞→r に移動してくる仕事なので
V1 = ∫[∞→r](F)dR = ∫[∞→b]F3dR + ∫[b→a]F2dR + ∫[a→r]F1dR
= ∫[∞→b]{-Q/(4パイεR^2)}dR + ∫[b→a]0dR + ∫[a→r]{-Q/(4パイεR^2)}dR
= [Q/(4パイεR)][∞→b] + [Q/(4パイεR)][a→r]
= -Q/(4パイεb) + Q/(4パイεa) - Q/(4パイεrR)
= -[Q/(4パイε)](1/b - 1/a + 1/r)
もし「円環」が「円筒」だと異なった結果になりますが、その場合には中心に与える電荷は「線密度」のようなもので定義しないといけません。
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