nチャンネルEモードMOSFETのトランジスタについてです。 このキャリアの変化はゲート電極の直下で

nチャンネルEモードMOSFETのトランジスタについてです。
　このキャリアの変化はゲート電極の直下で起こっており、オフ状態からオン状態となるとキャリアが電子から多数キャリアになりますか？
　また、ドレイン-ゲート直下-ソースについて、熱平衡状態のn-p-nからオン状態のn-n-nへと変化し、ドレインからソースに電流が流れる仕組みですか？

No.2 回答者： goooood25 回答日時： 2024/02/18 15:45

NチャンネルエンハンスメントモードMOSFETについて考えるとき、ゲート電圧がしきい値を超えると、ゲート電極の直下のp型基板にnチャンネルが形成されます。

このnチャンネルは、電子をキャリアとする領域で、電子の移動によって電流が流れます。したがって、MOSFETがオフ状態からオン状態になると、電流を運ぶキャリアが電子になります。
また、MOSFETがオン状態になると、ドレインとソース間にn型の導電路が形成され、ドレインからソースへ電子の流れが生じます。したがって、熱平衡状態のn-p-n構造がオン状態ではn-n-n構造になり、ドレインからソースへ電流が流れる、という理解で正確です。
このように、MOSFETはゲート電圧の制御により、導電チャネルを形成したり消したりすることで、電流の流れを制御します。これがMOSFETの基本的な動作原理となります。

とAIに聞いてみた結果です。役に立ちますか？

No.1 回答者： Georgia.Rain. 回答日時： 2024/02/17 20:40

何度も類似投稿をされてるようですが、それで期待する回答を得られないのであれば回答者のメンツも早々変わる訳でもないし、そのような専門的な質問はQuoraとかで聞いた方が良いかと思います。

https://jp.quora.com/