No.2
- 回答日時:
こんばんは。
LSIのことしか知らないので、それ関連だけを書きますね。
1.2つの回路をMOS-FETを介して接続する。
SRAMのメモリーセルは、フリップフロップと、
そのフリップフロップ2つのノードに各々接続されているn-MOSFETによって構成されています。
これらのn-MOSFETはスイッチの役割をし、
それらがONしたときに、信号の読み書きができるようになっています。
また、最も単純な例としては、DRAMのメモリーセルが挙げられます。
記憶の役割をしているのは1つのコンデンサですが、
それにスイッチのn-MOSFETが接続されており、
ONしたときに、信号の読み書きができるようになっています。
2.ゲート側回路(以下、G側回路)からドレイン&ソース側回路(以下 DS側回路)への電流の流入を無くす。
これについては、私はわかりません。
3.ゲート電圧だけを利用してDS側回路へゲート電圧を印加する。
DとSを短絡してGNDにつなぎ、コンデンサ(MOSキャパシタと呼びます)として用いることがあります。
以上、ご参考になりましたら。
御回答ありがとうございました。興味深く読ませて頂きました。
1.DRAMなどのLSIは、n-MOSFETやフリップフロップetcの組合せで作ら れているんですよね…。LSIのような多数の素子を使用した回路の 設計をされている方は本当にすごいなと思います。
3.ゲートである金属部と半導体部をコンデンサのようにして使用する ということでしょうか?色々な使い方があるんですね。
No.1ベストアンサー
- 回答日時:
>・2つの回路をMOS-FETを介して接続する。
ディスクリートのMOSFETはほとんど使われていませんが,IC内のMOSFETはアナログスイッチとして使われています.
http://japan.maxim-ic.com/products/switches/
なぜ,ディスクリートのMOSFETが使われていないのかとゆうと寄生容量が大きすぎて,交流的にはチャンとオフできないからです.
もちろん大電力を扱う場合はディスクリートのMOSFETを使います(APV1122 シリーズ).
http://www.mew.co.jp/ac/control/relay/photomos/w …
>・ゲート側回路(以下、G側回路)からドレイン&ソース側回路(以下 DS側回路)への電流の流入を無くす。
ゲート側回路(以下、G側回路)ではなくて,ゲート&ソース側回路(以下、GS側回路)が正しいです.
電圧の基準はソースですから.
GS側回路からDS側回路への電流Igd流入は,ここのゲート・ドレイン間電荷量Qgdを見るとわかるようにあります.
http://www.semicon.toshiba.co.jp/docs/datasheet/ …
ご存じだと思いますが,Qgd = ∫(Igd)dt です.
>・ゲート電圧だけを利用してDS側回路へゲート電圧を印加する。
私には,書かれていることが理解できません.
御回答ありがとうございました。勉強になりました。
御紹介の東芝のカタログには、電荷量がQg,Qgs,Qgdの3つ定義されていて、Qg=Qgs+Qgdなのですね。本当にたくさんのパラメータがありますね。カタログを読めるようになるだけでも大変そうです(汗)
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