トランジスタのトランジション周波数と電圧増幅率の周波数特性の関係につい

トランジスタのトランジション周波数と電圧増幅率の周波数特性の関係について質問させていただきます。

たとえば　トランジション周波数80MHｚ　hfe=100 のトランジスタ場合、hfeの周波数特性は図1のように（カットオフ周波数が800KHz)なるかと思います。自分は電圧増幅率にかかわらず（電圧増幅率が5倍でも10倍でも）、図2のようにこのラインに乗ってくるものだと考えているのですが、この考えでいいのでしょうか？

なぜ、このように思っているかというと、一石エミッタ接地回路において電圧増幅率が5倍でも10倍でもベース電流は常にhfe倍されているので、電圧増幅率にかかわらずこのラインに乗ってくるものだと思っているからです。

いろいろHPをみていると、”fTが80MHzの場合、8MHzまでは10倍のゲインがとれる”というようなことが書かれていたりするのですが（図3）、なんとなくすっきりしません。

どなたか、わかりやすく説明していただけないでしょうか？よろしくお願いいたします。

No.1 ベストアンサー 回答者： Executione 回答日時： 2010/09/17 17:31

あまり自信はないですが、同じトランジスタ回路で、電圧利得が100倍から10倍になっているということは、負帰還回路の帰還量が10倍ということですよね?

ということは、広域の遮断周波数は10倍されるので、図3のようになると思います。

この回答への補足

調べた結果　エミッタの内部抵抗やらなにやら関係しているということがわかりました。
たしかに内部抵抗で負帰還がかかってしまいますね。

とりあえず参考になったURLをのせておきます

http://www.cmplx.cse.nagoya-u.ac.jp/~furuhashi/e …

なんとか解決しそうです。ヒントをありがとうございました。

補足日時：2010/09/17 23:04

この回答へのお礼

さっそくのご回答ありがとうございます。

回路図も載せればよかったかと反省しております。
こちらで考えていた回路はエミッタ端子をそのままGNDに落とした回路なので回路には負帰還回路はありません。この回路で電圧増幅率を変更するというのは　コレクタ電流はそのままでコレクタ抵抗を変更するとともに電源電圧もあげることを考えていました。

が、ご指摘にあるように確かに負帰還が関係しているように思われます。Spiceで検証してみると Cbc の値を 0 にしてみると　上の回路のカットオフ周波数が同じになりました。
これを足がかりにもう少し調べてみます。ありがとうございました。

お礼日時：2010/09/17 18:49