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真性半導体は バンドギャップの中央にフェルミ準位がある それは 何故ですか?  
 
導体に近づけるために 何かを混ぜて価電子帯と伝導体の幅(バンドギャップ)の間に         不純物を入れることによって 熱励起しやすくする と書いてありました。                 
何を熱励起しやすくするのですか?

色々 考えてたら分からなくなってしまいました。 おしえてください 

A 回答 (2件)

ご参考にしてください。



http://oshiete.goo.ne.jp/qa/7569221.html
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この回答へのお礼

ありがとう ございます。 是非 参考にさせていただきます。

お礼日時:2012/07/24 20:11

>真性半導体は バンドギャップの中央にフェルミ準位がある それは 何故ですか?


話が逆です。
バンドギャップの中央にフェルミ準位があるものを半導体(又は絶縁体)と言うのです。
バンドギャップが小さい場合は半導体になり、大きな場合は絶縁体になります。

>何を熱励起しやすくするのですか
電荷を運ぶためのキャリア(担体)です。
N型半導体では電子がキャリアになり、P型半導体では正孔がキャリアになります。

以下を参考に
http://ja.wikipedia.org/wiki/%E3%83%90%E3%83%B3% …
http://akita-nct.jp/~tanaka/kougi/2007nen/3e/3-4 …
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この回答へのお礼

ありがとう ございます。 半導体に関する本が多く その中でも分かりやすい参考書を購入しましたが いまいちでした。でも 聞いて 良かったです。
とても 分かりやすく参考にさせていただきます。

お礼日時:2012/07/24 20:06

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