最近電気電子の学習に入門した者です。もともとは生八つ橋を専攻にしていたため電気電子の問題に立ち向かうたびに大変な苦労をしております。。。
ちなみに現在は以下の問題に大苦戦中であります(上側の抵抗Rがなければ解くことができるのですが・・・)。どなたかお力をお貸しください
二枚目の図は増幅回路に用いたMOSFETのID、VDS特性を示しています。バイアス回路によって動作点は図中の点X(VGS=2.5V, VDS=3.0V, ID=2.0mA)に定められています。
電源電圧VDD及び負荷抵抗RLの値を求めよ。ただし、一枚目の図に示されるように、ゲート端子に接続されている二つの抵抗は同じ抵抗値Rであることに注意せよ。
No.2ベストアンサー
- 回答日時:
回答NO.1です。
お礼ありがとうございます。お礼の欄の下記コメントについて;
>つまり下側のRの電圧降下がVGSと等しく、VoutがVGSと等しいということですね!!
このVoutについては間違いです。VoutはVGSと等しくはありません。
Voutは ドレインーソース間電圧VDSに等しい です。
No.1
- 回答日時:
今晩は。
1)まずVDDは「動作点は図中の点X(VGS=2.5V, VDS=3.0V, ID=2.0mA)」より動作点ではゲート電圧が2.5Vだということが分かります。
そのゲート電圧は電源VDDを二つの抵抗Rで分圧して得られてますから、
VDD×{R/(R+R)}=VGS=2.5V (1)
が成り立ちます。この式(1)を以下のように整理すると、
VDD×(1/2)=2.5V
よりVDDは
VDD=2.5V×2=5V
と求まります。
2)次にRLを求めます。ドレインーソース間電圧VDSは電源電圧VDDから負荷抵抗RLにドレイン電流IDが流れて電圧降下⊿VRLが発生してますので、この電圧降下をVDDから差し引けばソースードレイン間電圧VDSになります。
まず負荷抵抗RLに発生する電圧降下⊿VRLは
⊿VRL=RL×ID (2)
で求まります。
また、VDSは
VDS=VDD-⊿VRL (3)
で求まります。式(3)に式(2)を代入して整理すると、
VDS=VDDーRL×ID (4)
式(4)よりRLを求めると
RL=(VDD-VDS)/ID (5)
を得ます。式(5)にVDD=5V、VDS=3.0V、ID=2mAを代入してRLは
RL=(5V-3.0V)/2mA=1kΩ
と求まります。
ありがとうございました。
このような問題をこのスピードで解きあげるあなたに興味があります。
つまり下側のRの電圧降下がVGSと等しく、VoutがVGSと等しいということですね!!
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