MOSトランジスタについて分からない事があります。

今、MOSトランジスタを勉強しています。
MOSトランジスタの飽和領域と非飽和領域についてはなんとか理解できたのですが、遮断領域というものがさっぱり分かりません。自分としては、「ゲート・ソース間電圧Vgsがしきい電圧Vt以下である時において、ドレイン電流Idが、Id=0となる。」だと思うのですが・・・大学の電気科の教授から、「ちょっと違う。まだ足りない部分がある」と言われました。

図書館などで調べてもあまり詳しくは分かりませんでした。なので、お分かりになる方がいらっしゃれば、回答よろしくお願いしますm(_ _)m

No.1 ベストアンサー 回答者： mtnlnd 回答日時： 2013/06/18 16:08

「ゲート・ソース間電圧Vgsがしきい電圧Vt以下である時において、ドレイン電流Idが、Id=0となる。

」

これは理想的なものとしての事で　実際はゼロにならないので　規格では何ｍA以下とか何μA以下とかになるのです
パワーMOSですともっと大きくなります　
しきい値にも幅があるので　何Vにおいて～何A以下となっております　MOS-FETの規格を調べるとよろしいです　
多分この事と思います　ご参考に。

この回答へのお礼

回答ありがとうございます。MOS-FETの規格についてもっと調べてみたいと思います。

お礼日時：2013/06/18 20:21