トランジスタのVBE－IB特性について

VBE-IB特性で、VBEを0.6～0.7Vにしたとき、一般にIBが流れ出すと言われているらしいですが、どうしてそのようなことがおきるのでしょうか・・・？
まったく、分からないので答えていただけたら幸いです。
よろしくお願いします。

No.2 ベストアンサー 回答者： inara1 回答日時： 2009/05/07 08:08

イメージとしては参考URLのアニメーションが分かりやすいと思います。

これはPN接合ダイオードですが、トランジスタのベース-エミッタ間もPN接合なので同じことです。
電流は電子（紫色の玉）と正孔（白い玉）の流れ（玉の数と速度の積）ですが、正孔の流れる方向が電流の向きになります。

電子はパチンコ玉、正孔は水中の気泡だと考えてください。パチンコ玉は傾斜に沿って下に降りようとし、気泡は傾斜に沿って上に昇ろうとします。PN接合にかける電圧を変えると（右側のスライダの位置を変えると）この傾斜が変わるので移動する玉の数が変化し電流の大きさが変わります。

ある電圧から急に電流が流れるのは、PN接合の界面にもともと一定の傾斜ができていて、この傾斜がゆるやかになるまで電圧を大きくしないと玉が移動し始めないからです。その電圧より低い電圧のとき、傾斜部分には玉がなく、両脇に玉が溜っている状態になっていますが、その傾斜が邪魔になって玉が移動できないので電流は流れません。玉のない傾斜部分がANo.1さんの言われる空乏層になります。

参考URL：http://kccn.konan-u.ac.jp/physics/semiconductor/ …

この回答へのお礼

わかりやすいアニメーションや説明ありがとうございます！
イメージ的にもつかみやすかったです。

お礼日時：2009/05/09 06:54

No.1 回答者： MOMON12345 回答日時： 2009/05/07 07:33

PN接合部に空乏層が出来るために電流の流れない電圧帯が発生するためです。

シリコンPN接合では0.6～0.7V,Geでは0.3V前後になり熱傾斜を持っています。

この回答へのお礼

空乏層を突破するのに、シリコンでは、0.6～0.7V必要ということですね？ありがとうございました。

お礼日時：2009/05/09 06:53